μ PA621TT
DRAIN CURRENT vs.
DRAIN TO SOURCE VOLTAGE
FORWARD TRANSFER CHARACTERISTICS
20
Pulsed
V GS = 4.5 V
100
V DS = 10 V
Pulsed
10
15
10
2.5 V
4.0 V
1
0.1
0.01
T A = 125°C
75°C
25°C
? 25°C
5
0.001
0
0.0001
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
1.2
1
V DS - Drain to Source Voltage - V
GATE CUT-OFF VOLTAGE vs.
CHANNEL TEMPERATURE
V DS = 10 V
I D = 1.0 mA
100
10
V GS - Gate to Source Voltage - V
FORWARD TRANSFER ADMITTANCE vs.
DRAIN CURRENT
V DS = 10 V
Pulsed
T A = ? 25°C
0.8
0.6
0.4
1
0.1
0.01
25°C
75°C
125°C
-50
0
50
100
150
0.01
0.1
1
10
100
T ch - Channel Temperature - ° C
DRAIN TO SOURCE ON-STATE RESISTANCE vs.
CHANNEL TEMPERATURE
100
Pulsed
100
I D - Drain Current - A
DRAIN TO SOURCE ON-STATE RESISTANCE vs.
GATE TO SOURCE VOLTAGE
Pulsed
80
60
V GS = 2.5 V
4.0 V
80
60
40
20
4.5 V
40
20
I D = 2.5 A
-50
0
50
100
150
0
2
4
6
8
10
12
4
T ch - Channel Temperature - ° C
Data Sheet G16112EJ1V0DS
V GS - Gate to Source Voltage - V
相关PDF资料
UPA622TT-E2-A MOSFET N-CH 30V 6-WSOF
UPA650TT-E1-A MOSFET P-CH 12V 6-WSOF
UPA672T-T2-A MOSFET N-CH DUAL 50V SC-70
UPA675T-T2-A MOSFET N-CH DUAL 16V SC-70
UPA677TB-T2-A MOSFET N-CH DUAL 20V SC-70
UPA678TB-T2-A MOSFET P-CH DUAL 20V SC-70
UPA679TB-T2-A MOSFET N/P-CH 20V SC-70
UPB1007K-E1-A IC DOWNCONVERT DL 3V 36-QFN
相关代理商/技术参数
UPA622 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:UPA622TT Data Sheet | Data Sheet[09/2002]
UPA622TT 制造商:NEC 制造商全称:NEC 功能描述:N-CHANNEL MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR FOR SWITCHING
UPA622TT-E1 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:
UPA622TT-E1-A 功能描述:MOSFET N-CH 30V 6-WSOF RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
UPA622TT-E2-A 功能描述:MOSFET N-CH 30V 6-WSOF RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
UPA64H 制造商:NEC 制造商全称:NEC 功能描述:High Speed Switching
UPA650 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:UPA650TT Data Sheet | Data Sheet[05/2002]
UPA650TT 制造商:NEC 制造商全称:NEC 功能描述:P-CHANNEL MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR FOR SWITCHING